IRFU3910PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFU3910PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFU3910PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFU3910PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFU3910PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 209141
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Vgs th

MOSFET, N, 100V, 15A, I-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont16A
Resistance, Rds On0.115ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleI-PAK
Termination TypeThrough Hole
Case Style, AlternateI-PAK
Current, Idm Pulse60A
Length, Lead9.65mm
Marking, SMDIRFU3910
Pitch, Lead2.28mm
Power Dissipation79W
Power, Pd79W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A2.4°C/W
Time, t Off25ns
Time, t On27ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max100V

В НАЛИЧИИ 259шт.
29,50 от 120 шт. 25,30 от 225 шт. 23,20
Расчет доставки...