GS66508T-EVBHB (GaN Systems )

GS66508T-EVBHB, GaN Systems
Наименование GS66508T-EVBHB
Производитель GaN Systems (GAN)
Артикул 2090043
Функция
Чип/Ядро

Характеристики отладочной платы GS66508T-EVBHB:
• базовая схема: полумост;
• тип транзисторов: GS66508T 650 В;
• возможные схемы включения: полумост, повышающий DC/DC преобразователь, понижающий DC/DC преобразователь;
• напряжение питания: 9…12 В;
• выходной ток: до 30 А;
• достижимый КПД: >98,5 % при выходной мощности 1…2 кВт (понижающий преобразователь).


Для продвижения своей продукции GaN Systems выпустила отладочную плату GS66508T-EVBHB, которая в очередной раз демонстрирует преимущества GaN-транзисторов. При использовании GS66508T-EVBHB в составе синхронного понижающего преобразователя значение КПД превысило 98,5% для диапазона выходных мощностей 1…2 КВт! Главная особенность данной отладочной платы заключается в том, что она выполнена в виде небольшого стенда, схему которого определяет пользователь с помощью подключения внешних проводников и компонентов.

В июле компания GaN Systems объявила о многомиллионной поддержке со стороны венчурного фонда BMW i Ventures, который является инвестиционным подразделением известного автопроизводителя. Наверняка такой интерес баварских машиностроителей продиктован высоким потенциалом GaN-технологий на рынке электромобилей. Хотя GaN Systems далеко не единственная фирма, работающая в данной области, тем не менее, ее отличает наличие готовых решений и технологий. Ранее на портале Унитера уже публиковалась обзорная статья по силовым нитрид-галлиевым транзисторам от GaN Systems. На этот раз мы постараемся более подробно рассмотреть технологии, предлагаемые компанией.