2N2222 (On Semiconductor)

Наименование 2N2222
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 2089
OBS Снято с производства
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Напряжение насыщения КЭ
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vebo
Напряжение Vcbo
Конфигурация
Монтаж
Частота перехода ft
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE

TRANSISTOR, NPN, TO-18

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo30V
Current, Ic Continuous a Max0.8A
Voltage, Vce Sat Max0.4V
Power Dissipation500mW
Hfe, Min100
ft, Typ250MHz
Case StyleTO-18
Termination TypeThrough Hole
Current, Ic @ Vce Sat150mA
Current, Ic Max0.8A
Current, Ic hFE150mA
Pin Configurationa
Pins, No. of3
Power, Ptot500mW
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo60V
ft, Min250MHz

2N2222A (CDIL)
от 25,80 Склад (1-2 дн)

TRANSISTOR, NPN, TO-18; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:40V; Current, Ic Continuous a Max:0.8A; Voltage, Vce Sat Max:0.3V; Power Dissipation:500mW; Hfe, Min:100; ft, Typ:300MHz; Case Style:TO-18; Termination Type:Through Hole; Current, Ic @ Vce Sat:150mA; Current, Ic Fall Time Measurement:150mA; Current, Ic Max:0.8A; Current, Ic hFE:150mA; Pins, No.…