IRG4PC30WPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRG4PC30WPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PC30WPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRG4PC30WPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 208867
Минимальная рабочая температура
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Конфигурация
Монтаж
Технология
Серия
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

IGBT, 600V, 23A, TO-247AC

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max23A
Voltage, Vce Sat Max2.7V
Power Dissipation100W
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed92A
Device MarkingIRG4PC30WPBF
Pins, No. of3
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall67ns
Time, Fall Max67ns
Time, Rise16ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V

Производитель: INFIN
IRG4PC30WPBF.pdf
IRG4PC50WPBF (INFIN)
от 240,00 Склад (1-2 дн)

IGBT, 600V, 55A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:55A; Voltage, Vce Sat Max:2.3V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:220A; Device Marking:IRG4PC50WPBF; Pins, No.…

IRG4PC40WPBF (INFIN)
от 154,00 Склад (1-2 дн)

IGBT, 600V, 40A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:40A; Voltage, Vce Sat Max:2.5V; Power Dissipation:160W; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:160A; Device Marking:IRG4PC40WPBF; Pins, No.…