IRFR5505PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFR5505PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 208343
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Rd(on)
Channel Mode
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Монтаж
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Технология
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs

MOSFET, P, -55V, -18A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-55V
Current, Id Cont18A
Resistance, Rds On0.11ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-10V
Voltage, Vgs th Typ-4V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse64A
Marking, SMDIRFR5505
Power Dissipation57W
Power, Pd57W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A2.2°C/W
Voltage, Vds55V
Voltage, Vds Max55V

IRFR5505TRPBF (INFIN)
Доступно 211986 шт. (под заказ)

20V-250V P-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic…

SPP80P06PHXKSA1 (INFIN)
Доступно 1280 шт. (под заказ)

20V-250V P-Channel Power MOSFET, Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the hig…

IRFR5505TR (INFIN)
Доступно 165 шт. (под заказ)

IRFR5505TRLPBF (INFIN)
Доступно 1428 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…

В НАЛИЧИИ 12117шт.
24,40 от 139 шт. 20,90 от 302 шт. 19,20
Расчет доставки...