IRG4PH50SPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRG4PH50SPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 207746
Монтаж
Напряжение насыщения К-Э
Технология
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Конфигурация
Минимальная рабочая температура
Напряжение затвор-эмиттер макс.

IGBT, 1200V, 57A, TO-247AC

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max57A
Voltage, Vce Sat Max1.47V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed114A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max638ns
Time, Rise29ns
Voltage, Vceo1200V

Производитель: INFIN
IRG4PH50S.pdf
IRG4PH50S-EPBF (INFIN)
Доступно 1884 шт. (под заказ)

IGBT Transistors 1200V DC-1kHz w/ exetended lead