MJE5852G (On Semiconductor)

Наименование MJE5852G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 206820
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Напряжение насыщения КЭ
Напряжение Vebo
Напряжение Vcbo
Конфигурация
Монтаж
Серия
Максимальная рабочая температура

TRANSISTOR, PNP, TO-220AB

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityPNP
Voltage, Vceo400V
Current, Ic Continuous a Max8A
Voltage, Vce Sat Max2V
Power Dissipation80W
Hfe, Min5
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Application CodePHVS
Current, Ib4.0A
Current, Ic @ Vce Sat4.0A
Current, Ic Max8A
Current, Ic av8.0A
Current, Ic hFE5mA
Depth, External4.82mm
Device MarkingMJE5852
Length / Height, External30.02mm
Pins, No. of3
Power, Ptot80W
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-65°C
Thermal Resistance, Junction to Case A1.25°C/W
Time, Fall @ Ic0.5чs
Transistors, No. of1
Voltage, Vces450V
Width, External10.28mm

В НАЛИЧИИ 590шт.
145,00 от 24 шт. 124,00 от 50 шт. 114,00
Расчет доставки...