IRFR120NTRLPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFR120NTRLPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 206007
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Технология
Серия
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация
Корпус
Qg - Gate Charge
Vgs th
Количество транзисторов
Монтаж

MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage, Vds100V
Continuous Drain Current, Id9.4A
On Resistance, Rds(on)210mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs10V
Package/CaseDPAK

IRFR120NTRPBF (INFIN)
от 21,10 Склад (1-2 дн)

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:9.4A; On Resistance, Rds(on):210mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK

IRFR120ZPBF (INFIN)
от 21,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 100V, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:8.7A; Resistance, Rds On:0.19ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Base Number:120; Current, Idm Pulse:35A; Pins, No.…