IRL2203NSPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRL2203NSPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 205963
OBS Снято с производства
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Напряжение для измерения Rds(on)
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)

MOSFET, N, 30V, 116A, D2-PAK ((NW))

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont116A
Resistance, Rds On0.007ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse400A
Marking, SMDL2203NS
Power Dissipation170W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd170W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A0.9°C/W
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs th Max2V

Application Note Detailed MOSFET Behavioral Analysis
Производитель: INFIN
Даташит для IRL2203NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRL2203NSTRLPBF (INFIN)
Доступно 22043 шт. (под заказ)

MOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl

IPB320N20N3GATMA1 (INFIN)
Доступно 19315 шт. (под заказ)

MOSFET N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3

IRL2203NS (INFIN)
Доступно 129 шт. (под заказ)

MOSFET, N LOGIC D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:116A; Resistance, Rds On:0.007ohm; Case Style:TO-263; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:400A; Marking, SMD:L2203NS; Power Dissipation:170W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

IPB200N15N3GATMA1 (INFIN)
Доступно 12453 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM) compared to the next best …