IRL2203NSPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRL2203NSPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 205963
OBS Снято с производства
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Напряжение для измерения Rds(on)
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs

MOSFET, N, 30V, 116A, D2-PAK ((NW))

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont116A
Resistance, Rds On0.007ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse400A
Marking, SMDL2203NS
Power Dissipation170W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd170W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A0.9°C/W
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs th Max2V

Application Note Detailed MOSFET Behavioral Analysis
Производитель: INFIN
Даташит для IRL2203NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Доступно 22043 шт. (под заказ)

MOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl

Доступно 19315 шт. (под заказ)

MOSFET N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3

Доступно 129 шт. (под заказ)

MOSFET, N LOGIC D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:116A; Resistance, Rds On:0.007ohm; Case Style:TO-263; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:400A; Marking, SMD:L2203NS; Power Dissipation:170W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

Доступно 12453 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM) compared to the next best …