IRFR9N20DPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFR9N20DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 203997
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Технология
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Channel Mode
Конфигурация
Номинальное напряжение Vgs
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус

MOSFET, N, 200V, 9.4A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont9.4A
Resistance, Rds On0.38ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse38A
Marking, SMDIRFR9N20D
Power Dissipation86W
Power, Pd86W
Thermal Resistance, Junction to Case A1.75°C/W
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs th Max5.5V

Производитель: INFIN
Даташит для IRFR9N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)