IRFB4212PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFB4212PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFB4212PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 203546
OBS Снято с производства
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)

MOSFET, N, 100V, TO-220AB

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont18A
Resistance, Rds On0.0725ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Base Number4212
Charge, Gate N-channel15nC
Current, Idm Pulse57A
Pins, No. of3
Power Dissipation60mW
Power, Pd60W
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max5V
Voltage, Vgs th Min3V

Производитель: INFIN
Даташит для IRFB4212PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRF520PBF (VISH/IR)
от 26,30 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 100V, 9.2A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:9.2A; Resistance, Rds On:0.27ohm;…

IRF530PBF (VISH/IR)
от 25,60 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 100V, 14A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:14A; Resistance, Rds On:0.16ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…