IRF1010NSPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF1010NSPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 200774
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Qg - Gate Charge
Vgs th
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Напряжение для измерения Rds(on)
Channel Mode
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Конфигурация
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, 55V, 84A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont84A
Resistance, Rds On0.011ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse290A
Power Dissipation170W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd170W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A40°C/W
Voltage, Vds55V
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs th Max4V

IRF1010NSTRLPBF (INFIN)
Доступно 24660 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…

IRF1010NSTRRPBF (INFIN)
Доступно 1534 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…

В НАЛИЧИИ 106шт.
53,50 от 64 шт. 45,70 от 150 шт. 42,00
Расчет доставки...