IRF9Z24NPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF9Z24NPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 200605
Корпус
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Vgs th
Количество транзисторов
Монтаж
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)

MOSFET, P, -55V, -12A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-55V; Current, Id Cont:12A; Resistance, Rds On:0.172ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:48A; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:45W; Power, Pd:45W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:3.3°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds:55V; Voltage, Vds Max:55V

Производитель: INFIN
Даташит для IRF9Z24NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRF9Z14PBF (VISH/IR)
Доступно 90919 шт. (под заказ)

MOSFET, P, -60V, -6.7A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-60V; Current, Id Cont:4.7A; Resistance, Rds On:0.5ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:19A; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…

В НАЛИЧИИ 3766шт.
44,50 от 76 шт. 38,20 от 150 шт. 35,00
Расчет доставки...