IRGB6B60KDPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRGB6B60KDPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 200513
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Монтаж
Технология
Серия
Минимальная рабочая температура
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Конфигурация

IGBT, 600V, 13A, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max13A
Voltage, Vce Sat Max2V
Power Dissipation90W
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed26A
Power, Pd90W
Time, Fall22ns
Time, Fall Max22ns
Time, Rise17ns
Voltage, Vceo600V

Производитель: INFIN
IRGB6B60KDPBF.pdf