IRF5210 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF5210
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 20034
OBS Снято с производства
Рассеиваемая мощность
Напряжение для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

MOSFET, P TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Current, Id Cont:40A; Resistance, Rds On:0.06ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:140A; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:200W; Power, Pd:200W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:100V

IRF5210PBF (INFIN)
от 72,50 Склад (1-2 дн)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…