IRFB3077PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFB3077PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 199794
RND Рекомендуется для новых разработок
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Qg - Gate Charge
Конфигурация

MOSFET, N, 75V, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ75V
Current, Id Cont210A
Resistance, Rds On3.3ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Capacitance, Ciss Typ9400pF
Current, Id Cont @ 100°C150A
Current, Id Cont @ 25°C210A
Current, Idm Pulse850A
Energy, Avalanche Single Pulse Eas240mJ
Power, Pd370W
Voltage, Rds Measurement10V
Voltage, Vds75V
Voltage, Vds Max75V
Rth0.4

IPP086N10N3GXKSA1 (INFIN)
от 56,50 Склад (1-2 дн)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

IRFB7730PBF (INFIN)
от 146,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power

В НАЛИЧИИ 2070шт.
130,00 от 27 шт. 112,00 от 57 шт. 103,00
Расчет доставки...