IRF7493PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF7493PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 199460
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Конфигурация и полярность
Channel Mode
Конфигурация Single Quad Drain Triple Source
Макс. напряжение Vdss
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Корпус
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

MOSFET, N, SO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ80V
Current, Id Cont1.2A
Resistance, Rds On0.73ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse10A
Pin Configuration(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D
Power, Pd2.5W
Time, Fall15ns
Time, Rise9.5ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs Max30V

IRF7493 (INFIN)
Доступно 69 шт. (под заказ)

MOSFET Transistor Power Dissipation:2.5W

IRF7493TRPBF (INFIN)
Доступно 63454 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Industry-leading quality Fast Switching 175°C Operating …

В НАЛИЧИИ 3218шт.
39,60 от 95 шт. 34,00 от 190 шт. 31,20
Расчет доставки...