IRFU5410PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFU5410PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFU5410PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFU5410PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFU5410PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 199376
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET, P, I-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-100V
Current, Id Cont13A
Resistance, Rds On0.0205ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-10V
Voltage, Vgs th Typ-4V
Case StyleI-PAK
Termination TypeThrough Hole
Case Style, AlternateTO-251
Current, Idm Pulse52A
Length, Lead9.65mm
Marking, SMDIRFU5410PBF
Pitch, Lead2.28mm
Power Dissipation66W
Power, Pd66W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, t Off45ns
Time, t On15ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max100V

Производитель: INFIN
Даташит для IRFU5410PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)