MMBT5551LT1G (On Semiconductor)

Наименование MMBT5551LT1G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 199123
Монтаж
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Напряжение насыщения КЭ
Напряжение Vebo
Напряжение Vcbo
Конфигурация

TRANSISTOR, NPN, SOT-23

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo160V
Current, Ic Continuous a Max50mA
Voltage, Vce Sat Max0.15V
Power Dissipation225mW
Hfe, Min80
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD

MMBT5551LT3G (ONS)
Доступно 1948430 шт. (под заказ)

Биполярный транзистор общего назначения

PMBT5551.215 (NEX-NXP)
от 2,70 Склад (1-2 дн)

TRANSISTOR, NPN, 160V, 300MA, SOT-23-3

В НАЛИЧИИ 230199шт.
1,30 от 3000 шт. 1,10 от 6000 шт. 1,10
Расчет доставки...