IRF7807VPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF7807VPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7807VPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7807VPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7807VPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF7807VPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 195739
OBS Снято с производства
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Монтаж
Технология
Количество транзисторов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge

MOSFET, N, LOGIC, SO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont8.3A
Resistance, Rds On0.017ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement4.5V
Voltage, Vgs th Typ3V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse66A
Depth, External5.2mm
Length / Height, External1.75mm
Marking, SMDIRF7807VPBF
Pins, No. of8
Pitch, Row6.3mm
Power Dissipation2.5W
Power, Pd2.5W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max30V
Width, External4.05mm

Производитель: INFIN
IRF7807V.pdf
IRF7807VTRPBF (INFIN)
Доступно 15990 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Industry-leading quality Fast Switching Low Profile (les…