MJD117T4 (STMicroelectronics)

Наименование MJD117T4
Производитель STMicroelectronics(ST)
Артикул 195084
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов

Биполярный транзистор -

Тип PNP
UКЭ(макс) 100 В
UКЭ(пад) 3 В
IК(макс) 2 А
Pрасс 20 Вт
Fгран 25 МГц

MJD117G (ONS)
от 22,40 Склад (1-2 дн)

2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

MJD117T4G (ONS)
Доступно 46361 шт. (под заказ)

2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

В НАЛИЧИИ 12645шт.
18,20 от 186 шт. 15,60 от 404 шт. 14,30
Расчет доставки...