IRF5210S (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF5210S
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 19350
OBS Снято с производства
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Напряжение для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

MOSFET, P D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Current, Id Cont40A
Resistance, Rds On0.06ohm
Case StyleTO-263
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse140A
Marking, SMDIRF5210S
Power Dissipation200W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Voltage, Vds100V
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max-4V

IRF5210STRRPBF (INFIN)
Доступно 4118 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…

IRF5210SPBF (INFIN)
от 88,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, P, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:40A; Resistance, Rds On:0.06ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:-4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:140A; Marking, SMD:IRF5210S; Power Dissipation:200W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

IRF5210STRLPBF (INFIN)
Доступно 46198 шт. (под заказ)

MOSFET, P, 100V, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:40A; Resistance, Rds On:0.06ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…