IRLU120NPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRLU120NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRLU120NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRLU120NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRLU120NPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 192786
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss

MOSFET, N, 100V, 11A, I-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont10A
Resistance, Rds On0.185ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2V
Case StyleI-PAK
Termination TypeThrough Hole
Case Style, AlternateI-PAK
Current, Idm Pulse35A
Power Dissipation48W
Power, Pd48W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.185ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A3.2°C/W
Voltage, Vds100V
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max2V

Производитель: INFIN
irlr120n.pdf
IRLU110PBF (VISH/IR)
Доступно 12006 шт. (под заказ)

MOSFET, N, 100V, 4.3A, I-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:4.6A; Resistance, Rds On:0.54ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:5V; Voltage, Vgs th Typ:2V; Case Style:I-PAK; Termination Type:Through Hole; Case Style, Alternate:I-PAK; Current, Idm Pulse:18A; Power Dissipation:30W; Power, Pd:30W; Resistance, Rds on @ Vgs 10V:0.054ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:0°C/W; Transistors, No.…

В НАЛИЧИИ 1475шт.
24,20 от 146 шт. 20,80 от 318 шт. 19,10
Расчет доставки...