MJE18004G (On Semiconductor)

Наименование MJE18004G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 19090
Монтаж
Частота перехода ft
Серия
Максимальная рабочая температура
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота
Напряжение насыщения КЭ
Напряжение Vebo
Напряжение Vcbo
Конфигурация

TRANSISTOR, NPN, TO-220

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo450V
Current, Ic Continuous a Max2.5A
Voltage, Vce Sat Max0.45V
Power Dissipation75W
Hfe, Min6
ft, Typ13MHz
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Application CodePHVS
Current, Ic Max5A
Current, Ic hFE2A
Pins, No. of3
Power, Ptot75W
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Inductive Switching2.5чs
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo10V dc
Voltage, Vces1000V