MMBTH10LT1G (On Semiconductor)

Наименование MMBTH10LT1G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 188524
Напряжение насыщения КЭ
Напряжение Vebo
Напряжение Vcbo
Конфигурация
Монтаж
Частота перехода ft
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота

TRANSISTOR, NPN

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo25V
Current, Ic Continuous a Max4A
Voltage, Vce Sat Max0.5V
Power Dissipation225mW
Hfe, Min60
ft, Typ650MHz
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Power, Ptot0.3W

MMBTH10LT3G (ONS)
Доступно 168750 шт. (под заказ)

Биполярный транзистор общего назначения