IRF6678TR1PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF6678TR1PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 188506
OBS Снято с производства
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

MOSFET, N, DIRECTFET, 30V, MX

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont30A
Resistance, Rds On1.7mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.35V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Base Number6678
Current, Idm Pulse240A
Marking, SMD2.8
Power Dissipation2.8mW
Voltage, Vds30V
Voltage, Vgs th Max2.25V
Voltage, Vgs th Min1.35V

Производитель: INFIN
Даташит для IRF6678TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Производитель: INFIN
Даташит для IRF6678TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRF6678TRPBF (INFIN)
Доступно 48 шт. (под заказ)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

IRF6618TR1 (INFIN)
Доступно 571 шт. (под заказ)

MOSFET, N, DIRECTFET, MT; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:170A; Resistance, Rds On:2.2mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1.64V; Case Style:MT; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:5640pF; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:46nC; Current, Idm Pulse:240A; Depth, External:6.35mm; IC Package (Case style):MT; Length / Height, External:0.7mm; Marking, SMD:6618; Pins, No.…