HGTG18N120BND (On Semiconductor)

HGTG18N120BND, On Semiconductor HGTG18N120BND, On Semiconductor
Наименование HGTG18N120BND
Производитель On Semiconductor(ONS-FAIR)
Артикул 188043
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Монтаж
Технология
Серия
Напряжение насыщения К-Э
Максимальная рабочая температура
Минимальная рабочая температура
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер макс.

IGBT, N, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max54A
Voltage, Vce Sat Max2.7V
Power Dissipation390W
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Case Style, AlternateSOT-249
Current, Ic @ Vce Sat18A
Current, Icm Pulsed160A
Device MarkingHGTG18N120BND
Power, Pd390W
Time, Rise22ns
Voltage, Vceo1200V

В НАЛИЧИИ 1шт.
161,00 от 11 шт. 161,00 от 23 шт. 161,00
Расчет доставки...