MJD127G (On Semiconductor)

Наименование MJD127G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 187534
Корпус
Макс. рабочая частота
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность

DARLINGTON TRANSISTOR, D-PAK

Transistor TypeBipolar Darlington
Transistor PolarityPNP
Voltage, Vceo100V
Current, Ic Continuous a Max8A
Voltage, Vce Sat Max-2V
Power Dissipation1.75W
Hfe, Min1000
Case StyleD-PAK
Termination TypeSMD
Current, Ic Max8A
Current, Ic av8A
Current, Ic hFE4A
Depth, External10.5mm
Device MarkingMJD127
Length / Height, External2.55mm
Marking, SMDMJD127
Pins, No. of3
Power, Ptot20W
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo100V
Width, External6.8mm
ft, Min4MHz

MJD127T4G (ONS)
от 19,40 Склад (1-2 дн)

Transistor; Transistor Type:Darlington; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:100V; Continuous Collector Current, Ic:8A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):4V; Power Dissipation, Pd:25W

MJD127T4 (ST)
Доступно 18780 шт. (под заказ)

Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 4 В; IК(макс): 8 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 4 МГц

MJD127 (ONS)
Доступно 650 шт. (под заказ)

В НАЛИЧИИ 6863шт.
19,70 от 150 шт. 16,90 от 375 шт. 15,50
Расчет доставки...