MJD117T4G (On Semiconductor)

Наименование MJD117T4G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 187257
Частота перехода ft
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация

2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

MJD117G (ONS)
от 22,40 Склад (1-2 дн)

2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

MJD117T4 (ST)
от 18,20 Склад (1-2 дн)

Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 3 В; IК(макс): 2 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 25 МГц