IRF630NPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF630NPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 185929
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус

MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont9.3A
Resistance, Rds On0.3ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse37A
Pins, No. of3
Power Dissipation82W
Power, Pd82W
Thermal Resistance, Junction to Case A1.83°C/W
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs th Max4V

IRF630 (ST)
от 23,20 Склад (1-2 дн)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 200 В; Iс(25°C): 9 А; Rси(вкл): 0.4 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 31 нКл

IRF630N (INFIN)
Доступно 64 шт. (под заказ)

MOSFET, N TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:9.3A; Resistance, Rds On:0.3ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:37A; Pins, No.…

IRFB4020PBF (INFIN)
Доступно 49689 шт. (под заказ)

MOSFET, N, 200V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4.9V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4020; Charge, Gate N-channel:18nC; Current, Idm Pulse:52A; Pins, No.…

IRFB4620PBF (INFIN)
от 88,50 Склад (1-2 дн)

120V-300V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant

В НАЛИЧИИ 5915шт.
28,40 от 119 шт. 24,40 от 259 шт. 22,40
Расчет доставки...