IRFR15N20DPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFR15N20DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 185783
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Operating Temperature Range
Operating Temperature Min
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Channel Mode
Конфигурация
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Рассеиваемая мощность
Qg - Gate Charge
Вgs th
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Сравнить В избранное

MOSFET, N, 200V, 17A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont17A
Resistance, Rds On0.165ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse68A
Power Dissipation140W
Power, Pd140W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V165ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A1.04°C/W
Voltage, Vds Max200V

IRFR15N20DTRPBF (INFIN)
от 50,50 Склад (1-2 дн)

120V-300V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantIndustry-leading qualityFully Characterized Avalanche Voltage a…

Сравнение позиций

  • ()