IRFR15N20DPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFR15N20DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 185783
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Рассеиваемая мощность
Максимальная рабочая температура
Минимальная рабочая температура
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Вgs th
Qg - Gate Charge
Channel Mode
Operating Temperature Min
Operating Temperature Range
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам

MOSFET, N, 200V, 17A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont17A
Resistance, Rds On0.165ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse68A
Power Dissipation140W
Power, Pd140W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V165ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A1.04°C/W
Voltage, Vds Max200V

IRFR15N20DTRPBF (INFIN)
от 56,00 Склад (1-2 дн)

120V-300V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantIndustry-leading qualityFully Characterized Avalanche Voltage a…

Сравнение позиций

  • ()