IRG4PF50WDPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRG4PF50WDPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 185686
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Напряжение насыщения К-Э
Конфигурация
Монтаж
Технология
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Минимальная рабочая температура

IGBT, 900V, 51A, TO-247AC

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces900V
Current, Ic Continuous a Max51A
Voltage, Vce Sat Max2.25V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed204A
Device MarkingIRG4PF50WDPBF
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall220ns
Time, Fall Max190ns
Time, Rise52ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo900V

IRGB20B60PD1PBF (INFIN)
от 140,00 Склад (1-2 дн)

IGBT, 600V, 40A, TO-220AB; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:40A; Voltage, Vce Sat Max:2.35V;…

В НАЛИЧИИ 424шт.
328,00 от 11 шт. 281,00 от 23 шт. 258,00
Расчет доставки...