MGSF1N03LT1G (On Semiconductor)

MGSF1N03LT1G, On Semiconductor MGSF1N03LT1G, On Semiconductor
Наименование MGSF1N03LT1G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 184102
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Channel Mode
Конфигурация
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

MOSFET, N, 30V, SOT-23

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont1.6A
Resistance, Rds On0.1ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.7V
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Temperature, Operating Range-55°C to +150°C
Power, Pd0.42W
Voltage, Vds Max30V

Производитель: ONS
MGSF1N03LT1-Dhji.pdf
IRLML2030TRPBF (INFIN)
от 5,50 Склад (1-2 дн)

20V-100V N-Channel Small PowIR MOSFETs, Преимущества RoHS Compliant Industry-Standard Pinout Compatible with Existing Su…