IRGP50B60PD1PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRGP50B60PD1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGP50B60PD1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRGP50B60PD1PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 183595
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Конфигурация
Монтаж
Технология
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Минимальная рабочая температура

IGBT, 600V, 75A, TO-247AC

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max75A
Voltage, Vce Sat Max2.35V
Power Dissipation390W
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed150A
Device MarkingIRGP50B60PD1PBF
Power, Pd390W
Time, Rise10ns
Voltage, Vceo600V

IRGP50B60PD1-EP (INFIN)
Доступно 1546 шт. (под заказ)

Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

AUIRGP50B60PD1 (INFIN)
от 539,00 Склад (1-2 дн)

Automotive IGBT Discretes, Преимущества Optimized for 50-150kHz switching Optimized for SMPS applications 1…

В НАЛИЧИИ 805шт.
320,00 от 12 шт. 274,00 от 25 шт. 252,00
Расчет доставки...