SI4435DYPBF (Vishay Intertechnology Inc. )

Наименование SI4435DYPBF
Производитель Vishay Intertechnology Inc. (VISHAY)
Артикул 181444
OBS Снято с производства
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов

MOSFET, P, SO-8 TUBE 95

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-30V
Current, Id Cont8A
Resistance, Rds On0.015ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-10V
Voltage, Vgs th Typ-1V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse50A
Depth, External5.2mm
Length / Height, External1.75mm
Marking, SMDSI4435DYPBF
Pitch, Row6.3mm
Power, Pd2.5W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Voltage, Vds Max30V
Width, External4.05mm

Производитель: VISHAY
Даташит для SI4435DYPBF, Vishay Intertechnology Inc.
SI4435DDY-T1-E3 (VISHAY)
Доступно 173503 шт. (под заказ)

MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V

SI4435DDY-T1-GE3 (VISHAY)
Доступно 456144 шт. (под заказ)

P CHANNEL MOSFET,-30V,-8.1A, SOIC-8