IRFR4105TRPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFR4105TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR4105TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR4105TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFR4105TRPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 17959
Qg - Gate Charge
Vgs th
Количество транзисторов
Монтаж
Конфигурация
Макс. напряжение Vdss
Технология
Rd(on)
Серия
Channel Mode
Корпус
Тмакс,
Кол-во выводов
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)
Конфигурация и полярность
Рассеиваемая мощность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Тmin,

MOSFET: N, 55 В, Q1: N, 45mΩ / 10V, 25 А

Производитель: INFIN
IRFR4105.pdf
IRFR4105PBF (INFIN)
от 24,20 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 55V, 25A, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:25A; Resistance, Rds On:0.045ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D-PAK; Current, Idm Pulse:100A; Depth, External:10.5mm; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:IRFR5104; Power Dissipation:46W; Power, Pd:46W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:2.7°C/W; Transistors, No.…

В НАЛИЧИИ 1477шт.
23,00 от 154 шт. 19,70 от 335 шт. 18,10
Расчет доставки...