2N5195G (On Semiconductor)

Наименование 2N5195G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 178876
Конфигурация
Монтаж
Частота перехода ft
Напряжение насыщения КЭ
Напряжение Vebo
Напряжение Vcbo
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота

TRANSISTOR, PNP, TO-126

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityPNP
Voltage, Vceo80V
Current, Ic Continuous a Max4A
Voltage, Vce Sat Max-0.6V
Power Dissipation40W
Hfe, Min20
ft, Typ2MHz
Case StyleTO-126
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-65°C to +150°C
Current, Ic Max4A
Current, Ic hFE1.5A
Device Marking2N5195
Pins, No. of3
Power, Ptot40W
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo80V
ft, Min2MHz

2N5195 (ST)
от 31,50 Склад (1-2 дн)

Биполярный транзистор - [SOT32]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 1.2 В; IК(макс): 4 А; Pрасс: 40 Вт; Fгран: 2 МГц