MJ11015G (On Semiconductor)

Наименование MJ11015G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 178067
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота

DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3

Transistor TypeBipolar Darlington
Transistor PolarityPNP
Voltage, Vceo120V
Current, Ic Continuous a Max30A
Voltage, Vce Sat Max-3V
Power Dissipation200W
Hfe, Min1000
Case StyleTO-3
Termination TypeThrough Hole
Current, Ic Max30A
Current, Ic av30A
Current, Ic hFE20A
Pins, No. of2
Power, Ptot200W
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo120V
ft, Min4MHz

MJ11015 (ISC)
от 174,00 Склад (1-2 дн)

16 A, 140 V NPN Bipolar Power Transistor

MJ11015 (MULTCMP)
Доступно 1107 шт. (под заказ)

TRANSISTOR, DARLINGTON TO-3; Transistor Type:Power Darlington; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:120V; Current, Ic Continuous a Max:30A; Hfe, Min:1000; Case Style:TO-3 (TO-204AA); Current, Ic Max:30A; Current, Ic av:30A; Current, Ic hFE:20A; Pins, No.…

В НАЛИЧИИ 146шт.
249,00 от 14 шт. 213,00 от 30 шт. 196,00
Расчет доставки...