IRFR9N20D (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFR9N20D, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR9N20D, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR9N20D, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFR9N20D
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 176922
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)

MOSFET, N D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont9.4A
Resistance, Rds On0.38ohm
Case StyleTO-252 (D-Pak)
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse38A
Marking, SMDIRFR9N20D
Power Dissipation86W
Power, Pd86W
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs th Max5.5V

Производитель: INFIN
IRFR9N20D.pdf
IRFR9N20DPBF (INFIN)
Доступно 10408 шт. (под заказ)

MOSFET, N, 200V, 9.4A, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:9.4A; Resistance, Rds On:0.38ohm;…