MMUN2111LT1G (On Semiconductor)

MMUN2111LT1G, On Semiconductor
Наименование MMUN2111LT1G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 176768
Полярность транзистора
Uce/ Uds макс.
Ic макс. при 25°C
Конфигурация и полярность
Кол-во выводов
Корпус
База-эмиттер резистор R2
Базовый резистор R1
Ток коллектора Ic

TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23

Transistor TypeDigital Bipolar
Transistor PolarityPNP
Voltage, Vceo50V
Current, Ic Continuous a Max100mA
Voltage, Vce Sat Max-0.25V
Power Dissipation246mW
Hfe, Min35
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Current, Ic Max100mA
Current, Ic hFE5mA
Marking, SMDA6A
Pin Configuration1
Pins, No. of3
Power, Ptot0.2W
Resistance, R110kohm
Resistance, R210kohm
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo50V

PDTA114ET.215 (NEX-NXP)
от 1,10 Склад (1-2 дн)

TRANSISTOR, RF, PNP, -50V, SOT-23-3

MMUN2111LT1. (ONS)
Доступно 160408 шт. (под заказ)

MMUN2111LT3G (ONS)
Доступно 387248 шт. (под заказ)

Транзистор со встроенным резистором смещения, биполярный (BRT)

В НАЛИЧИИ 110678шт.
0,94 от 3800 шт. 0,80 от 9000 шт. 0,74
Расчет доставки...