FDN5618P (On Semiconductor)

Наименование FDN5618P
Производитель On Semiconductor(ONS-FAIR)
Артикул 172948
Channel Mode
Конфигурация
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Серия
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET, P, SOT-23

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-60V
Current, Id Cont1.25A
Resistance, Rds On0.17ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-10V
Voltage, Vgs th Typ-1.6V
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse10A
Depth, External2.5mm
Device MarkingFDN5618P
Length / Height, External1.12mm
Marking, SMD618
Pins, No. of3
Power Dissipation0.5W
Power, Pd0.5W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Voltage, Vds60V
Voltage, Vds Max60V
Voltage, Vgs th Max-3V
Width, External3.05mm
Width, Tape8mm

SI2309CDS-T1-GE3 (VISHAY)
от 13,30 Склад (1-2 дн)

MOSFET, P CHANNEL, -60V, -1.6A, SOT-23-3

В НАЛИЧИИ 3032шт.
8,30 от 408 шт. 7,10 от 889 шт. 6,60
Расчет доставки...