IRF5210SPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF5210SPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 172579
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET, P, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont40A
Resistance, Rds On0.06ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ-4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse140A
Marking, SMDIRF5210S
Power Dissipation200W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Voltage, Vds100V
Voltage, Vds Max100V

Производитель: INFIN
Даташит для IRF5210SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRF5210STRRPBF (INFIN)
Доступно 5718 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…

IRF5210STRLPBF (INFIN)
Доступно 40688 шт. (под заказ)

MOSFET, P, 100V, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:40A; Resistance, Rds On:0.06ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

В НАЛИЧИИ 1605шт.
88,00 от 39 шт. 75,50 от 84 шт. 69,50
Расчет доставки...