IRF5210STRLPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF5210STRLPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 172578
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)

MOSFET, P, 100V, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont40A
Resistance, Rds On0.06ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateTO-262AB
Current, Idm Pulse140A
Power, Pd200W
Voltage, Vds100V
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max4V
Voltage, Vgs th Min2V

Производитель: INFIN
Даташит для IRF5210STRLPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRF5210STRRPBF (INFIN)
Доступно 4118 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…