IRLML6302TRPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRLML6302TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRLML6302TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRLML6302TRPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 171382
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Qg - Gate Charge
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Конфигурация

MOSFET, P REEL 3K

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-20V
Current, Id Cont0.6A
Resistance, Rds On0.6ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-4.5V
Voltage, Vgs th Typ-1.5V
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse34A
Depth, External2.5mm
Length / Height, External1.12mm
Marking, SMD1C
Pins, No. of3
Power Dissipation0.4W
Power, Pd0.4W
Quantity, Reel3000
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max20V
Voltage, Vgs th Max-1.4V
Width, External3.05mm
Width, Tape8mm

Производитель: INFIN
irlml6302pbf.pdf
IRLML6302TR (INFIN)
Доступно 175 шт. (под заказ)

Полевой транзистор. -20V. -0.62A.

TP0101K-T1-E3 (VISHAY)
Доступно 61 шт. (под заказ)

MOSFET, P CH, 20V, 0.58A, TO-236

В НАЛИЧИИ 171375шт.
7,40 от 480 шт. 6,40 от 1040 шт. 5,90
Расчет доставки...