BLT81.115 (NXP SEMICONDUCTORS )

Наименование BLT81.115
Производитель NXP SEMICONDUCTORS (NXP)
Артикул 17046
Коэффициент усиления по току hFE
Рассеиваемая мощность Pd
Частота ft
Тмакс
Uce/ Uds макс.
Ic макс. при 25°C
Конфигурация и полярность
Кол-во выводов
Корпус

RF TRANSISTOR, NPN, REEL 1K

Transistor TypeRF Bipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo9.5V
Current, Collector Continuous Ic500mA
ft, Typ900MHz
Case StyleSOT-223
Power, Dissipation Pd2W
Termination TypeSMD
Depth, External7.5mm
Length / Height, External1.7mm
Quantity, Reel1000
Transistors, No. of1
Width, External6.7mm
Current, Ic Continuous a Max0.5A
Current, Ic Max0.5A
Current, Ic av500mA
Current, Ic hFE300mA
Efficiency60%
Gain, Power Gp Min6dB
Hfe, Min25
Marking, SMDBLT81
Power, Load1.2W
Power, Ptot2W
Voltage, Supply7.5V
Voltage, Vcbo20V
Width, Tape12mm

В НАЛИЧИИ 1062шт.
89,50 от 38 шт. 77,00 от 82 шт. 70,50
Расчет доставки...