SPP11N60C3 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование SPP11N60C3
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 168895
Рассеиваемая мощность
Напряжение для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус

MOSFET, N, COOLMOS, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ650V
Current, Id Cont11A
Resistance, Rds On0.38ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ3V
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-55°C to +150°C
Current, Idm Pulse33A
Pins, No. of3
Power Dissipation125W
Power, Pd125W
Power, Ptot125W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max650V
Voltage, Vgs th Max3.9V

STP13NM60N (ST)
Доступно 1870 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 11 А; Rси(вкл): 0.36 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 30 нКл

IPP60R380C6 (INFIN)
Доступно 2895 шт. (под заказ)

MOSFET N-Ch 600V 10.6A TO220-3 CoolMOS C6

STP13N60M2 (ST)
Доступно 7871 шт. (под заказ)

MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

В НАЛИЧИИ 549шт.
96,50 от 35 шт. 83,00 от 76 шт. 76,00
Расчет доставки...