BSP75N (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование BSP75N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 161118
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Рассеиваемая мощность
Корпус
Тмакс,
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

MOSFET, SMART SWITCH, SOT-223

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ60V
Current, Id Cont1.1A
Resistance, Rds On0.5ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.1V
Case StyleSOT-223
Termination TypeSMD
Depth, External7mm
Length / Height, External1.6mm
Power, Pd1.5W
Transistors, No. of1
Voltage, Supply10V
Voltage, Vds Max60V
Width, External6.5mm

BSP75NHUMA1 (INFIN)
Доступно 42719 шт. (под заказ)

Automotive Smart Low-Side Switch | HITFET™, N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected by embedded protection functions. Возм…