IRFI530N (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFI530N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 159241
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Напряжение для измерения Rds(on)

MOSFET, N FULLPAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont11A
Resistance, Rds On0.108ohm
Case StyleTO-220 Fullpak
Current, Idm Pulse60A
Pins, No. of3
Power Dissipation33W
Power, Pd33W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max100V

Производитель: INFIN
IRFI530N.pdf
IRFI530NPBF (INFIN)
Доступно 14221 шт. (под заказ)

MOSFET, N, FULLPAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:11A; Resistance, Rds On:0.108ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220FP; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:60A; Pins, No.…