STN1NK60Z (STMicroelectronics)

STN1NK60Z, STMicroelectronics
Наименование STN1NK60Z
Производитель STMicroelectronics(ST)
Артикул 156636
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Channel Mode
Технология
Кол-во выводов
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Vgs для измерения Rds(on)
Корпус
Тmin,

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 600 В
Iс(25°C) 250 мА
Rси(вкл) 15 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 4.9 нКл

PBSS4350T.215 (NEX-NXP)
от 7,10 Склад (1-2 дн)

NSS60601MZ4T1G (ONS)
от 15,50 Склад (1-2 дн)

Bipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)

IPN60R3K4CEATMA1 (INFIN)
от 16,20 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N-CH, 600V, 2.6A, SOT-223-3

STN1HNK60 (ST)
Доступно 271747 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 400 мА; Rси(вкл): 8.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 7 нКл

STS1NK60Z (ST)
Доступно 21683 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - Тип: N; Iс(25°C): 250 мА; Rси(вкл): 15 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Pрасс: 2 Вт

В НАЛИЧИИ 13429шт.
13,60 от 257 шт. 11,70 от 560 шт. 10,70
Расчет доставки...