IRG4IBC30S (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRG4IBC30S
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 152216
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

IGBT: 600 В, 18 А

Производитель: INFIN
IRG4IBC30S.pdf
STGF20NB60S (ST)
от 37,60 Склад (1-2 дн)

IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 13 А; Uкэ.нас: 1.7 В

IRG4IBC30SPBF (INFIN)
Доступно 2639 шт. (под заказ)

Discrete IGBT without Anti-Parallel Diode,